NP50P04SDG-E1-AY Renesas Electronics МОП-транзистор POWER МОП-транзистор TRANSISTOR
Виробник: RENESAS ELECTRONICS
Код товару: NP50P04SDG-E1-AY
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: NP50P04SDG-E1-AY
Id - непрерывный ток утечки
- 50 A
Pd - рассеивание мощности
1200 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
9.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
- 40 V
Vgs - напряжение затвор-исток
+/- 20 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
13 ns
Время спада
180 ns
Высота
2.3 mm
Длина
6.5 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
2500
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
P-Channel
Продукт
MOSFET Small Signal
Технология
Si
Тип корпуса
TO-252-3
Тип транзистора
1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
405 ns
Типичное время задержки при включении
13 ns
Торговая марка
Renesas Electronics
Упаковка
Reel
Ширина
6.1 mm
MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
Про виробника
RENESAS ELECTRONICS
Renesas Electronics Corporation (яп. ルネサス エレクトロニクス株式会社 Runesasu Erekutoronikusu Kabushiki Gaisha) TYO: 6723 — японский производитель полупроводниковых компонентов. Штаб-квартира находится в Токио, компания имеет представительства и производственные м... Детально...