NP90N04VUG-E1-AY Renesas Electronics МОП-транзистор MP-3ZP PoTr-МОП-транзистор Low
Виробник: RENESAS ELECTRONICS
Код товару: NP90N04VUG-E1-AY
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: NP90N04VUG-E1-AY
Id - непрерывный ток утечки
90 A
Pd - рассеивание мощности
105 W
Qg - заряд затвора
90 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
3.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
40 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
20 ns
Время спада
11 ns
Количество в заводской упаковке
2500
Количество каналов
1 Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
51 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TO-252-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
65 ns
Типичное время задержки при включении
32 ns
Торговая марка
Renesas Electronics
Упаковка
Reel
MOSFET MP-3ZP PoTr-MOSFET Low
Про виробника
RENESAS ELECTRONICS
Renesas Electronics Corporation (яп. ルネサス エレクトロニクス株式会社 Runesasu Erekutoronikusu Kabushiki Gaisha) TYO: 6723 — японский производитель полупроводниковых компонентов. Штаб-квартира находится в Токио, компания имеет представительства и производственные м... Детально...