NP90N06VLG-E1-AY Renesas Electronics МОП-транзистор POWER DEVICE E AUTO MOS MP-3ZP UMOS4
Виробник: RENESAS ELECTRONICS
Код товару: NP90N06VLG-E1-AY
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: NP90N06VLG-E1-AY
Id - непрерывный ток утечки
90 A
Pd - рассеивание мощности
105 W
Qg - заряд затвора
90 nC
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.4 V to 2.5 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
13 ns
Время спада
7 ns
Количество в заводской упаковке
2500
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
66 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TO-252-3
Типичное время задержки выключения
76 ns
Типичное время задержки при включении
17 ns
Торговая марка
Renesas Electronics
Упаковка
Reel
MOSFET POWER DEVICE E AUTO MOS MP-3ZP UMOS4
Про виробника
RENESAS ELECTRONICS
Renesas Electronics Corporation (яп. ルネサス エレクトロニクス株式会社 Runesasu Erekutoronikusu Kabushiki Gaisha) TYO: 6723 — японский производитель полупроводниковых компонентов. Штаб-квартира находится в Токио, компания имеет представительства и производственные м... Детально...