2SK3018T106 ROHM Semiconductor МОП-транзистор N-CH 30V .1A SOT-323
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Код товару: 2SK3018T106
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: 2SK3018T106
Id - непрерывный ток утечки
100 mA
Pd - рассеивание мощности
200 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
7 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
35 ns
Время спада
35 ns
Высота
0.8 mm
Длина
2 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Продукт
MOSFET Small Signal
Серия
2SK3018
Технология
Si
Тип
MOSFET
Тип корпуса
SOT-23-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
80 ns
Типичное время задержки при включении
15 ns
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка
Reel
Ширина
1.25 mm
MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323
Про виробника
ROHM SEMICONDUCTOR
ROHM Semiconductor (ロ ー ム 株式会社 Rōmu Kabushiki-gaisha) - японский производитель электронных деталей, основанный в Киото, Япония. 17 сентября 1958 года ROHM была зарегистрирована в качестве Toyo Electronics Industry Corporation Кеничиро Сато (佐藤 研 一郎).... Детально...