QH8JA1TCR ROHM Semiconductor МОП-транзистор 20V Pch+Pch Si МОП-транзистор
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Код товару: QH8JA1TCR
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: QH8JA1TCR
Id - непрерывный ток утечки
- 5 A
Pd - рассеивание мощности
1.5 W
Qg - заряд затвора
10.2 nC, 10.2 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
28 mOhms, 28 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
- 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток
+/- 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
- 1.2 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
32 ns, 32 ns
Время спада
65 ns, 65 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
2 P-Channel
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
5.5 S, 5.5 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
P-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TSMT-8
Тип транзистора
2 P-Channel
Типичное время задержки выключения
70 ns, 70 ns
Типичное время задержки при включении
11 ns, 11 ns
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка
Reel
MOSFET 20V Pch+Pch Si MOSFET
Про виробника
ROHM SEMICONDUCTOR
ROHM Semiconductor (ロ ー ム 株式会社 Rōmu Kabushiki-gaisha) - японский производитель электронных деталей, основанный в Киото, Япония. 17 сентября 1958 года ROHM была зарегистрирована в качестве Toyo Electronics Industry Corporation Кеничиро Сато (佐藤 研 一郎).... Детально...