QH8KA1TCR ROHM Semiconductor МОП-транзистор 30V Nch+Nch Si МОП-транзистор
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Код товару: QH8KA1TCR
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: QH8KA1TCR
Id - непрерывный ток утечки
4.5 A, 4.5 A
Pd - рассеивание мощности
2.4 W
Qg - заряд затвора
3 nC, 3 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
56 mOhms, 56 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V, 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1 V, 1 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
7.5 ns, 7.5 ns
Время спада
3.5 ns, 3.5 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
2 N-Channel
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
1.7 S, 1.7 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TSMT-8
Тип транзистора
2 N-Channel
Типичное время задержки выключения
10 ns, 10 ns
Типичное время задержки при включении
5 ns, 5 ns
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка
Reel
MOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET
Про виробника
ROHM SEMICONDUCTOR
ROHM Semiconductor (ロ ー ム 株式会社 Rōmu Kabushiki-gaisha) - японский производитель электронных деталей, основанный в Киото, Япония. 17 сентября 1958 года ROHM была зарегистрирована в качестве Toyo Electronics Industry Corporation Кеничиро Сато (佐藤 研 一郎).... Детально...