QH8KA4TCR ROHM Semiconductor МОП-транзистор 30V Nch+Nch Si МОП-транзистор
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Код товару: QH8KA4TCR
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: QH8KA4TCR
Id - непрерывный ток утечки
9 A, 9 A
Pd - рассеивание мощности
1.5 W
Qg - заряд затвора
12 nC, 12 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
12.5 mOhms, 12.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V, 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
12 V, 12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
500 mV, 500 mV
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
20 ns, 20 ns
Время спада
20 ns, 20 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
2 N-Channel
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
7 S, 7 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TSMT-8
Тип транзистора
2 N-Channel
Типичное время задержки выключения
50 ns, 50 ns
Типичное время задержки при включении
20 ns, 20 ns
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка
Reel
MOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET
Про виробника
ROHM SEMICONDUCTOR
ROHM Semiconductor (ロ ー ム 株式会社 Rōmu Kabushiki-gaisha) - японский производитель электронных деталей, основанный в Киото, Япония. 17 сентября 1958 года ROHM была зарегистрирована в качестве Toyo Electronics Industry Corporation Кеничиро Сато (佐藤 研 一郎).... Детально...