QH8MA2TCR ROHM Semiconductor МОП-транзистор 30V Nch+Pch Power МОП-транзистор
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Код товару: QH8MA2TCR
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: QH8MA2TCR
Id - непрерывный ток утечки
+/- 4.5 A, +/- 3 A
Pd - рассеивание мощности
1.5 W
Qg - заряд затвора
8.4 nC, 7.8 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
25 mOhms, 55 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V, - 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
+/- 20 V, +/- 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1 V, - 1 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
8 ns, 16.8 ns
Время спада
5.7 ns, 8.5 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
1 N-Channel, 1 P-Channel
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
1.4 S, 1.9 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
-
Полярность транзистора
N-Channel, P-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TSMT-8
Тип транзистора
1 N-Channel, 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
12 ns, 27.6 ns
Типичное время задержки при включении
7.2 ns, 7.9 ns
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка
Reel
MOSFET 30V Nch+Pch Power MOSFET
Про виробника
ROHM SEMICONDUCTOR
ROHM Semiconductor (ロ ー ム 株式会社 Rōmu Kabushiki-gaisha) - японский производитель электронных деталей, основанный в Киото, Япония. 17 сентября 1958 года ROHM была зарегистрирована в качестве Toyo Electronics Industry Corporation Кеничиро Сато (佐藤 研 一郎).... Детально...