QH8MA3TCR ROHM Semiconductor МОП-транзистор 30V N+P Ch МОП-транзистор
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Код товару: QH8MA3TCR
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: QH8MA3TCR
Id - непрерывный ток утечки
7 A, 5.5 A
Pd - рассеивание мощности
2.5 W
Qg - заряд затвора
7.2 nC, 10 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
22 mOhms, 37 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V, - 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
+/- 20 V, +/- 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1 V, - 2.5 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
8 ns, 12 ns
Время спада
5.7 ns, 20 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
1 N-Channel, 1 P-Channel
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
2.7 S, 3.3 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel, P-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TSMT-8
Тип транзистора
1 N-Channel, 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
12 ns, 40 ns
Типичное время задержки при включении
7.2 ns, 8 ns
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка
Reel
MOSFET 30V N+P Ch MOSFET
Про виробника
ROHM SEMICONDUCTOR
ROHM Semiconductor (ロ ー ム 株式会社 Rōmu Kabushiki-gaisha) - японский производитель электронных деталей, основанный в Киото, Япония. 17 сентября 1958 года ROHM была зарегистрирована в качестве Toyo Electronics Industry Corporation Кеничиро Сато (佐藤 研 一郎).... Детально...