QS8J11TCR ROHM Semiconductor МОП-транзистор Dual P-Channel МОП-транзистор Transistor
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Код товару: QS8J11TCR
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: QS8J11TCR
Id - непрерывный ток утечки
- 3.5 A, - 3.5 A
Pd - рассеивание мощности
1.5 W
Qg - заряд затвора
22 nC, 22 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
31 mOhms, 31 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
- 12 V, - 12 V
Vgs - напряжение затвор-исток
0 V to - 8 V, 0 V to - 8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
- 1 V, - 1 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
30 ns, 30 ns
Время спада
60 ns, 60 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
2 P-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
P-Channel
Серия
QS8J11
Технология
Si
Тип корпуса
TSMT-8
Тип транзистора
2 P-Channel
Типичное время задержки выключения
170 ns, 170 ns
Типичное время задержки при включении
15 ns, 15 ns
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка
Reel
MOSFET Dual P-Channel MOSFET Transistor
Про виробника
ROHM SEMICONDUCTOR
ROHM Semiconductor (ロ ー ム 株式会社 Rōmu Kabushiki-gaisha) - японский производитель электронных деталей, основанный в Киото, Япония. 17 сентября 1958 года ROHM была зарегистрирована в качестве Toyo Electronics Industry Corporation Кеничиро Сато (佐藤 研 一郎).... Детально...