QS8J1TR ROHM Semiconductor МОП-транзистор P Chan-12V-4.5A Mid-PowerSwitching
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Код товару: QS8J1TR
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: QS8J1TR
Id - непрерывный ток утечки
- 4.5 A
Pd - рассеивание мощности
1.5 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
29 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
- 12 V
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
75 ns
Время спада
215 ns
Длина
3 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
Dual Dual Drain
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
P-Channel
Продукт
MOSFET Small Signal
Серия
QS8J1
Технология
Si
Тип корпуса
TSMT-8
Тип транзистора
2 P-Channel
Типичное время задержки выключения
390 ns
Типичное время задержки при включении
12 ns
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка
Reel
Ширина
2.4 mm
MOSFET P Chan-12V-4.5A Mid-PowerSwitching
Про виробника
ROHM SEMICONDUCTOR
ROHM Semiconductor (ロ ー ム 株式会社 Rōmu Kabushiki-gaisha) - японский производитель электронных деталей, основанный в Киото, Япония. 17 сентября 1958 года ROHM была зарегистрирована в качестве Toyo Electronics Industry Corporation Кеничиро Сато (佐藤 研 一郎).... Детально...