QS8K13TCR ROHM Semiconductor МОП-транзистор 4V Drive Nch+Nch МОП-транзистор
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Код товару: QS8K13TCR
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: QS8K13TCR
Id - непрерывный ток утечки
6 A, 6 A
Pd - рассеивание мощности
1.5 W
Qg - заряд затвора
20 nC, 20 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
20 mOhms, 20 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V, 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1 V, 1 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
40 ns, 40 ns
Время спада
7 ns, 7 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
2 N-Channel
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
3 S, 3 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TSMT-8
Тип транзистора
2 N-Channel
Типичное время задержки выключения
35 ns, 35 ns
Типичное время задержки при включении
8 ns, 8 ns
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка
Reel
MOSFET 4V Drive Nch+Nch MOSFET
Про виробника
ROHM SEMICONDUCTOR
ROHM Semiconductor (ロ ー ム 株式会社 Rōmu Kabushiki-gaisha) - японский производитель электронных деталей, основанный в Киото, Япония. 17 сентября 1958 года ROHM была зарегистрирована в качестве Toyo Electronics Industry Corporation Кеничиро Сато (佐藤 研 一郎).... Детально...