QS8K51TR ROHM Semiconductor МОП-транзистор
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Код товару: QS8K51TR
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: QS8K51TR
Id - непрерывный ток утечки
+/- 2 A, +/- 2 A
Pd - рассеивание мощности
1.5 W
Qg - заряд затвора
4.7 nC, 4.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
240 mOhms, 240 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
100 V, 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1 V, 1 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
10 ns, 10 ns
Время спада
15 ns, 15 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
2 N-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
QS8K51
Технология
Si
Тип корпуса
TSMT-8
Тип транзистора
2 N-Channel
Типичное время задержки выключения
30 ns, 30 ns
Типичное время задержки при включении
10 ns, 10 ns
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка
Reel
MOSFET
Про виробника
ROHM SEMICONDUCTOR
ROHM Semiconductor (ロ ー ム 株式会社 Rōmu Kabushiki-gaisha) - японский производитель электронных деталей, основанный в Киото, Япония. 17 сентября 1958 года ROHM была зарегистрирована в качестве Toyo Electronics Industry Corporation Кеничиро Сато (佐藤 研 一郎).... Детально...