R5011FNJTL ROHM Semiconductor МОП-транзистор Nch 500V 11A Power МОП-транзистор
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Код товару: R5011FNJTL
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: R5011FNJTL
Id - непрерывный ток утечки
11 A
Pd - рассеивание мощности
50 W
Qg - заряд затвора
30 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
400 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
500 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
28 ns
Время спада
30 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
1000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
4.5 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
R5011FNJ
Технология
Si
Тип корпуса
TO-263-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
75 ns
Типичное время задержки при включении
26 ns
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка
Reel
MOSFET Nch 500V 11A Power MOSFET
Про виробника
ROHM SEMICONDUCTOR
ROHM Semiconductor (ロ ー ム 株式会社 Rōmu Kabushiki-gaisha) - японский производитель электронных деталей, основанный в Киото, Япония. 17 сентября 1958 года ROHM была зарегистрирована в качестве Toyo Electronics Industry Corporation Кеничиро Сато (佐藤 研 一郎).... Детально...