R5205CNDTL ROHM Semiconductor МОП-транзистор LO CURR HI EFF MOSFT HI BREAKDWN RESIST
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Код товару: R5205CNDTL
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: R5205CNDTL
Id - непрерывный ток утечки
5 A
Pd - рассеивание мощности
65 W
Qg - заряд затвора
10.8 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1.3 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
500 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.5 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
25 ns
Время спада
20 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
2500
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TO-252-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
40 ns
Типичное время задержки при включении
20 ns
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка
Reel
MOSFET LO CURR HI EFF MOSFT HI BREAKDWN RESIST
Про виробника
ROHM SEMICONDUCTOR
ROHM Semiconductor (ロ ー ム 株式会社 Rōmu Kabushiki-gaisha) - японский производитель электронных деталей, основанный в Киото, Япония. 17 сентября 1958 года ROHM была зарегистрирована в качестве Toyo Electronics Industry Corporation Кеничиро Сато (佐藤 研 一郎).... Детально...