R6007KNJTL ROHM Semiconductor МОП-транзистор Nch 600V 7A Si МОП-транзистор
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Код товару: R6007KNJTL
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: R6007KNJTL
Id - непрерывный ток утечки
7 A
Pd - рассеивание мощности
78 W
Qg - заряд затвора
14.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
570 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
22 ns
Время спада
25 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
1000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
1.9 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TO-263-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
35 ns
Типичное время задержки при включении
18 ns
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка
Reel
MOSFET Nch 600V 7A Si MOSFET
Про виробника
ROHM SEMICONDUCTOR
ROHM Semiconductor (ロ ー ム 株式会社 Rōmu Kabushiki-gaisha) - японский производитель электронных деталей, основанный в Киото, Япония. 17 сентября 1958 года ROHM была зарегистрирована в качестве Toyo Electronics Industry Corporation Кеничиро Сато (佐藤 研 一郎).... Детально...