R6012ANJTL ROHM Semiconductor МОП-транзистор TRANS МОП-транзистор NCH 600V 12A 3PIN
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Код товару: R6012ANJTL
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: R6012ANJTL
Id - непрерывный ток утечки
12 A
Pd - рассеивание мощности
100 W
Qg - заряд затвора
35 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
320 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.5 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
30 ns
Время спада
35 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
1000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TO-263-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
90 ns
Типичное время задержки при включении
30 ns
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка
Reel
MOSFET TRANS MOSFET NCH 600V 12A 3PIN
Про виробника
ROHM SEMICONDUCTOR
ROHM Semiconductor (ロ ー ム 株式会社 Rōmu Kabushiki-gaisha) - японский производитель электронных деталей, основанный в Киото, Япония. 17 сентября 1958 года ROHM была зарегистрирована в качестве Toyo Electronics Industry Corporation Кеничиро Сато (佐藤 研 一郎).... Детально...