R6020ANZC8 ROHM Semiconductor МОП-транзистор 10V Drive Nch МОП-транзистор
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Код товару: R6020ANZC8
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: R6020ANZC8
Id - непрерывный ток утечки
20 A
Pd - рассеивание мощности
120 W
Qg - заряд затвора
65 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
170 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.95 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
60 ns
Время спада
70 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
360
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TO-3PF-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
230 ns
Типичное время задержки при включении
40 ns
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка
Bulk
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
Про виробника
ROHM SEMICONDUCTOR
ROHM Semiconductor (ロ ー ム 株式会社 Rōmu Kabushiki-gaisha) - японский производитель электронных деталей, основанный в Киото, Япония. 17 сентября 1958 года ROHM была зарегистрирована в качестве Toyo Electronics Industry Corporation Кеничиро Сато (佐藤 研 一郎).... Детально...