R6020KNZC8 ROHM Semiconductor МОП-транзистор Nch 600V 20A Si МОП-транзистор
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Код товару: R6020KNZC8
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: R6020KNZC8
Id - непрерывный ток утечки
20 A
Pd - рассеивание мощности
231 W
Qg - заряд затвора
40 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
170 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
30 ns
Время спада
10 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
360
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
5 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TO-3PF-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
55 ns
Типичное время задержки при включении
30 ns
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tube
MOSFET Nch 600V 20A Si MOSFET
Про виробника
ROHM SEMICONDUCTOR
ROHM Semiconductor (ロ ー ム 株式会社 Rōmu Kabushiki-gaisha) - японский производитель электронных деталей, основанный в Киото, Япония. 17 сентября 1958 года ROHM была зарегистрирована в качестве Toyo Electronics Industry Corporation Кеничиро Сато (佐藤 研 一郎).... Детально...