R6030KNZ1C9 ROHM Semiconductor МОП-транзистор Nch 600V 30A Si МОП-транзистор
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Код товару: R6030KNZ1C9
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: R6030KNZ1C9
Id - непрерывный ток утечки
30 A
Pd - рассеивание мощности
305 W
Qg - заряд затвора
56 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
115 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
75 ns
Время спада
45 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
450
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
10 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TO-247-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
90 ns
Типичное время задержки при включении
36 ns
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tube
MOSFET Nch 600V 30A Si MOSFET
Про виробника
ROHM SEMICONDUCTOR
ROHM Semiconductor (ロ ー ム 株式会社 Rōmu Kabushiki-gaisha) - японский производитель электронных деталей, основанный в Киото, Япония. 17 сентября 1958 года ROHM была зарегистрирована в качестве Toyo Electronics Industry Corporation Кеничиро Сато (佐藤 研 一郎).... Детально...