R6035ENZC8 ROHM Semiconductor МОП-транзистор 10V Drive Nch МОП-транзистор
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Код товару: R6035ENZC8
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: R6035ENZC8
Id - непрерывный ток утечки
35 A
Pd - рассеивание мощности
120 W
Qg - заряд затвора
110 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
92 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
80 ns
Время спада
80 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
360
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
11 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TO-3PF-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
210 ns
Типичное время задержки при включении
40 ns
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка
Bulk
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
Про виробника
ROHM SEMICONDUCTOR
ROHM Semiconductor (ロ ー ム 株式会社 Rōmu Kabushiki-gaisha) - японский производитель электронных деталей, основанный в Киото, Япония. 17 сентября 1958 года ROHM была зарегистрирована в качестве Toyo Electronics Industry Corporation Кеничиро Сато (佐藤 研 一郎).... Детально...