R6046FNZC8 ROHM Semiconductor МОП-транзистор SILICON N-CHANNEL МОП-транзистор; 600V
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Код товару: R6046FNZC8
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: R6046FNZC8
Id - непрерывный ток утечки
46 A
Pd - рассеивание мощности
120 W
Qg - заряд затвора
150 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
93 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Вес изделия
7 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
150 ns
Время спада
80 ns
Количество в заводской упаковке
360
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TO-220-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
230 ns
Типичное время задержки при включении
77 ns
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка
Bulk
MOSFET SILICON N-CHANNEL MOSFET; 600V
Про виробника
ROHM SEMICONDUCTOR
ROHM Semiconductor (ロ ー ム 株式会社 Rōmu Kabushiki-gaisha) - японский производитель электронных деталей, основанный в Киото, Япония. 17 сентября 1958 года ROHM была зарегистрирована в качестве Toyo Electronics Industry Corporation Кеничиро Сато (佐藤 研 一郎).... Детально...