R6047ENZ1C9 ROHM Semiconductor МОП-транзистор 10V Drive Nch МОП-транзистор
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Код товару: R6047ENZ1C9
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: R6047ENZ1C9
Id - непрерывный ток утечки
47 A
Pd - рассеивание мощности
120 W
Qg - заряд затвора
145 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
72 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Вес изделия
6,500 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
100 ns
Время спада
100 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
450
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
13 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TO-247-3
Тип транзистора
1 N-channel
Типичное время задержки выключения
260 ns
Типичное время задержки при включении
50 ns
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка
Bulk
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
Про виробника
ROHM SEMICONDUCTOR
ROHM Semiconductor (ロ ー ム 株式会社 Rōmu Kabushiki-gaisha) - японский производитель электронных деталей, основанный в Киото, Япония. 17 сентября 1958 года ROHM была зарегистрирована в качестве Toyo Electronics Industry Corporation Кеничиро Сато (佐藤 研 一郎).... Детально...