R8002ANX ROHM Semiconductor МОП-транзистор 10V Drive Nch МОП-транзистор
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Код товару: R8002ANX
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: R8002ANX
Id - непрерывный ток утечки
2 A
Pd - рассеивание мощности
35 W
Qg - заряд затвора
12.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
4.3 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
800 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Вес изделия
6 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
20 ns
Время спада
70 ns
Количество в заводской упаковке
500
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
R8002ANX
Технология
Si
Тип корпуса
TO-220FP-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
33 ns
Типичное время задержки при включении
17 ns
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка
Bulk
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
Про виробника
ROHM SEMICONDUCTOR
ROHM Semiconductor (ロ ー ム 株式会社 Rōmu Kabushiki-gaisha) - японский производитель электронных деталей, основанный в Киото, Япония. 17 сентября 1958 года ROHM была зарегистрирована в качестве Toyo Electronics Industry Corporation Кеничиро Сато (佐藤 研 一郎).... Детально...