R8005ANX ROHM Semiconductor МОП-транзистор 10V Drive Nch МОП-транзистор
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Код товару: R8005ANX
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: R8005ANX
Id - непрерывный ток утечки
5 A
Pd - рассеивание мощности
40 W
Qg - заряд затвора
21 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
2.08 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
800 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Вес изделия
6 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
17 ns
Время спада
41 ns
Высота
4.8 mm
Длина
15.4 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
500
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
1 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Продукт
MOSFET
Серия
R8005ANX
Технология
Si
Тип
Power MOSFET
Тип корпуса
TO-220FP-3
Тип транзистора
1 N-channel
Типичное время задержки выключения
37 ns
Типичное время задержки при включении
17 ns
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка
Bulk
Ширина
10.3 mm
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
Про виробника
ROHM SEMICONDUCTOR
ROHM Semiconductor (ロ ー ム 株式会社 Rōmu Kabushiki-gaisha) - японский производитель электронных деталей, основанный в Киото, Япония. 17 сентября 1958 года ROHM была зарегистрирована в качестве Toyo Electronics Industry Corporation Кеничиро Сато (佐藤 研 一郎).... Детально...