RQ3E120BNTB ROHM Semiconductor МОП-транзистор 4.5V Drive Nch МОП-транзистор
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Код товару: RQ3E120BNTB
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: RQ3E120BNTB
Id - непрерывный ток утечки
12 A
Pd - рассеивание мощности
2 W
Qg - заряд затвора
29 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
6.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.5 V
Время нарастания
30 ns
Время спада
12 ns
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
1 Channel
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
HSMT-8
Тип транзистора
1 N-channel
Типичное время задержки выключения
46 ns
Типичное время задержки при включении
9 ns
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка
Reel
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
Про виробника
ROHM SEMICONDUCTOR
ROHM Semiconductor (ロ ー ム 株式会社 Rōmu Kabushiki-gaisha) - японский производитель электронных деталей, основанный в Киото, Япония. 17 сентября 1958 года ROHM была зарегистрирована в качестве Toyo Electronics Industry Corporation Кеничиро Сато (佐藤 研 一郎).... Детально...