IRF630 STMicroelectronics МОП-транзистор N-Ch 200 Volt 10 Amp
Виробник: STMICROELECTRONICS
Код товару: IRF630
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IRF630
Id - непрерывный ток утечки
9 A
Pd - рассеивание мощности
75 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
400 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
200 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Вес изделия
330 mg
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
15 ns
Высота
9.15 mm
Длина
10.4 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
1000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
4 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 65 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
N-channel STripFET
Технология
Si
Тип
MOSFET
Тип корпуса
TO-220-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки при включении
10 ns
Торговая марка
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Ширина
4.6 mm
MOSFET N-Ch 200 Volt 10 Amp
Про виробника
STMICROELECTRONICS
Компания, создана в июне 1987 года под названием SGS-THOMSON Microelectronics и переименована в 1998 году в STMicroelectronics. На сегодняшний день STMicroelectronics разрабатывает и выпускает электронные продукты в таких основных направлениях: усили... Детально...