SCT1000N170 STMicroelectronics МОП-транзистор
Виробник: STMICROELECTRONICS
Код товару: SCT1000N170
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: SCT1000N170
Id - непрерывный ток утечки
6 A
Pd - рассеивание мощности
120 W
Qg - заряд затвора
14 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
1700 V
Vgs - напряжение затвор-исток
- 10 V to + 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.1 V
Вид монтажа
Through Hole
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
600
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 200 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
HiP-247-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Торговая марка
STMicroelectronics
MOSFET
Про виробника
STMICROELECTRONICS
Компания, создана в июне 1987 года под названием SGS-THOMSON Microelectronics и переименована в 1998 году в STMicroelectronics. На сегодняшний день STMicroelectronics разрабатывает и выпускает электронные продукты в таких основных направлениях: усили... Детально...