SCT10N120 STMicroelectronics МОП-транзистор Silicon carbide Power МОП-транзистор 1200 V, 10 A, 550 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package
Виробник: STMICROELECTRONICS
Код товару: SCT10N120
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: SCT10N120
Id - непрерывный ток утечки
12 A
Pd - рассеивание мощности
150 W
Qg - заряд затвора
22 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
500 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
1.2 kV
Vgs - напряжение затвор-исток
- 10 V to + 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.8 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
12 ns
Время спада
17 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
600
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 200 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
SiC
Тип корпуса
HiP247-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
14 ns
Типичное время задержки при включении
7 ns
Торговая марка
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 10 A, 550 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package
Про виробника
STMICROELECTRONICS
Компания, создана в июне 1987 года под названием SGS-THOMSON Microelectronics и переименована в 1998 году в STMicroelectronics. На сегодняшний день STMicroelectronics разрабатывает и выпускает электронные продукты в таких основных направлениях: усили... Детально...