SCT20N120 STMicroelectronics МОП-транзистор 1200V silicon carbide МОП-транзистор
Виробник: STMICROELECTRONICS
Код товару: SCT20N120
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: SCT20N120
Id - непрерывный ток утечки
20 A
Pd - рассеивание мощности
175 W
Qg - заряд затвора
45 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
215 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
1.2 kV
Vgs - напряжение затвор-исток
- 10 V, + 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Вес изделия
38 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
16 ns
Время спада
17 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
600
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 200 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
SiC MOSFETs
Технология
SiC
Тип корпуса
HiP247-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
27 ns
Типичное время задержки при включении
10 ns
Торговая марка
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET
Про виробника
STMICROELECTRONICS
Компания, создана в июне 1987 года под названием SGS-THOMSON Microelectronics и переименована в 1998 году в STMicroelectronics. На сегодняшний день STMicroelectronics разрабатывает и выпускает электронные продукты в таких основных направлениях: усили... Детально...