STB100N6F7 STMicroelectronics МОП-транзистор
Виробник: STMICROELECTRONICS
Код товару: STB100N6F7
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: STB100N6F7
Id - непрерывный ток утечки
100 A
Pd - рассеивание мощности
125 W
Qg - заряд затвора
30 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
5.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Вес изделия
4 g
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
55.5 ns
Время спада
15 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
1000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TO-263-3
Типичное время задержки выключения
28.6 ns
Типичное время задержки при включении
21.6 ns
Торговая марка
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
MOSFET
Про виробника
STMICROELECTRONICS
Компания, создана в июне 1987 года под названием SGS-THOMSON Microelectronics и переименована в 1998 году в STMicroelectronics. На сегодняшний день STMicroelectronics разрабатывает и выпускает электронные продукты в таких основных направлениях: усили... Детально...