STB10LN80K5 STMicroelectronics МОП-транзистор POWER МОП-транзистор
Виробник: STMICROELECTRONICS
Код товару: STB10LN80K5
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: STB10LN80K5
Id - непрерывный ток утечки
8 A
Pd - рассеивание мощности
110 W
Qg - заряд затвора
15 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
550 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
800 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
10 ns
Время спада
13 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
1000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
MDmesh K5
Технология
Si
Тип корпуса
TO-263-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
28 ns
Типичное время задержки при включении
11.8 ns
Торговая марка
STMicroelectronics
Упаковка
Reel
MOSFET POWER MOSFET
Про виробника
STMICROELECTRONICS
Компания, создана в июне 1987 года под названием SGS-THOMSON Microelectronics и переименована в 1998 году в STMicroelectronics. На сегодняшний день STMicroelectronics разрабатывает и выпускает электронные продукты в таких основных направлениях: усили... Детально...