STB120N4LF6 STMicroelectronics МОП-транзистор N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE
Виробник: STMICROELECTRONICS
Код товару: STB120N4LF6
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: STB120N4LF6
Id - непрерывный ток утечки
80 A
Pd - рассеивание мощности
110 W
Qg - заряд затвора
80 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
4 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
40 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1 V to 2.5 V
Вес изделия
4 g
Вид монтажа
SMD/SMT
Количество в заводской упаковке
1000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
N-channel STripFET
Технология
Si
Тип корпуса
TO-263-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Торговая марка
STMicroelectronics
Упаковка
Reel
MOSFET N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE
Про виробника
STMICROELECTRONICS
Компания, создана в июне 1987 года под названием SGS-THOMSON Microelectronics и переименована в 1998 году в STMicroelectronics. На сегодняшний день STMicroelectronics разрабатывает и выпускает электронные продукты в таких основных направлениях: усили... Детально...