STB28N65M2 STMicroelectronics МОП-транзистор POWER МОП-транзистор
Виробник: STMICROELECTRONICS
Код товару: STB28N65M2
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: STB28N65M2
Id - непрерывный ток утечки
20 A
Pd - рассеивание мощности
170 W
Qg - заряд затвора
35 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
150 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
650 V
Vgs - напряжение затвор-исток
25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Вес изделия
4 g
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
10 ns
Время спада
8.8 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
1000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
MDmesh M2
Технология
Si
Тип корпуса
TO-263-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
59 ns
Типичное время задержки при включении
13.4 ns
Торговая марка
STMicroelectronics
Упаковка
Reel
MOSFET POWER MOSFET
Про виробника
STMICROELECTRONICS
Компания, создана в июне 1987 года под названием SGS-THOMSON Microelectronics и переименована в 1998 году в STMicroelectronics. На сегодняшний день STMicroelectronics разрабатывает и выпускает электронные продукты в таких основных направлениях: усили... Детально...