STD110N8F6 STMicroelectronics МОП-транзистор N-channel 80 V, 0.0058 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power МОП-транзистор in a DPAK package
Виробник: STMICROELECTRONICS
Код товару: STD110N8F6
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: STD110N8F6
Id - непрерывный ток утечки
80 A
Pd - рассеивание мощности
167 W
Qg - заряд затвора
150 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
6.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
80 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.5 V to 4.5 V
Вес изделия
4 g
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
61 ns
Время спада
48 ns
Высота
2.4 mm
Длина
10.1 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
2500
Количество каналов
1 Channel
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Продукт
Power MOSFET
Технология
Si
Тип
STripFET
Тип корпуса
TO-252-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
162 ns
Типичное время задержки при включении
24 ns
Торговая марка
STMicroelectronics
Упаковка
Reel
Ширина
6.6 mm
MOSFET N-channel 80 V, 0.0058 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
Про виробника
STMICROELECTRONICS
Компания, создана в июне 1987 года под названием SGS-THOMSON Microelectronics и переименована в 1998 году в STMicroelectronics. На сегодняшний день STMicroelectronics разрабатывает и выпускает электронные продукты в таких основных направлениях: усили... Детально...