STD15N60M2-EP STMicroelectronics МОП-транзистор
Виробник: STMICROELECTRONICS
Код товару: STD15N60M2-EP
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: STD15N60M2-EP
Id - непрерывный ток утечки
11 A
Pd - рассеивание мощности
110 W
Qg - заряд затвора
17 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
378 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Вес изделия
4 g
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
10 ns
Время спада
15 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
2500
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TO-252-3
Типичное время задержки выключения
40 ns
Типичное время задержки при включении
11 ns
Торговая марка
STMicroelectronics
Упаковка
Reel
MOSFET
Про виробника
STMICROELECTRONICS
Компания, создана в июне 1987 года под названием SGS-THOMSON Microelectronics и переименована в 1998 году в STMicroelectronics. На сегодняшний день STMicroelectronics разрабатывает и выпускает электронные продукты в таких основных направлениях: усили... Детально...