STD16N60M2 STMicroelectronics МОП-транзистор POWER МОП-транзистор
Виробник: STMICROELECTRONICS
Код товару: STD16N60M2
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: STD16N60M2
Id - непрерывный ток утечки
12 A
Pd - рассеивание мощности
110 W
Qg - заряд затвора
19 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
280 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Вес изделия
4 g
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
9.5 ns
Время спада
18.5 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
2500
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
MDmesh M2
Технология
Si
Тип корпуса
TO-252-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
58 ns
Типичное время задержки при включении
10.5 ns
Торговая марка
STMicroelectronics
Упаковка
Reel
MOSFET POWER MOSFET
Про виробника
STMICROELECTRONICS
Компания, создана в июне 1987 года под названием SGS-THOMSON Microelectronics и переименована в 1998 году в STMicroelectronics. На сегодняшний день STMicroelectronics разрабатывает и выпускает электронные продукты в таких основных направлениях: усили... Детально...