TSM60NB190CI Taiwan Semiconductor МОП-транзистор 600V Power МОП-транзистор Superjunction N-chan
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Код товару: TSM60NB190CI
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TSM60NB190CI
Id - непрерывный ток утечки
18 A
Pd - рассеивание мощности
33.8 W
Qg - заряд затвора
31 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
170 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
21 ns
Время спада
21 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
1000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TO-220-3
Типичное время задержки выключения
95 ns
Типичное время задержки при включении
36 ns
Торговая марка
Taiwan Semiconductor
Упаковка
Tube
MOSFET 600V Power MOSFET Superjunction N-chan
Про виробника
TAIWAN SEMICONDUCTOR
TSMC — крупнейший контрактный производитель полупроводниковых микросхем с долей рынка 48,8 % (2011), разработавший большое количество перспективных технологий, производственных процессов, средств проектирования и стандартных архитектур.... Детально...