TSM60NB900CP ROG Taiwan Semiconductor МОП-транзистор 600V 4Amp 0.9OHMS N channel Power Mosfet
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Код товару: TSM60NB900CP ROG
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TSM60NB900CP ROG
Id - непрерывный ток утечки
4 A
Pd - рассеивание мощности
36.8 W
Qg - заряд затвора
9.6 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
0.69 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
+/- 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
10 ns
Время спада
8 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
1875
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Тип корпуса
TO-252-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
36.4 ns
Типичное время задержки при включении
18 ns
Торговая марка
Taiwan Semiconductor
Упаковка
Reel
MOSFET 600V 4Amp 0.9OHMS N channel Power Mosfet
Про виробника
TAIWAN SEMICONDUCTOR
TSMC — крупнейший контрактный производитель полупроводниковых микросхем с долей рынка 48,8 % (2011), разработавший большое количество перспективных технологий, производственных процессов, средств проектирования и стандартных архитектур.... Детально...