CSD17313Q2T Texas Instruments МОП-транзистор 30V, N-Channel NexFET Power Mosfet
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Код товару: CSD17313Q2T
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: CSD17313Q2T
Id - непрерывный ток утечки
5 A
Pd - рассеивание мощности
17 W
Qg - заряд затвора
2.1 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
32 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
- 8 V, + 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
900 mV
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
3.9 ns
Время спада
1.3 ns
Высота
0.75 mm
Длина
2 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
250
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
NexFET
Конфигурация
1 N-Channel
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
16 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
CSD17313Q2
Технология
Si
Тип корпуса
WSON-FET-6
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
4.2 ns
Типичное время задержки при включении
2.8 ns
Торговая марка
Texas Instruments
Упаковка
Reel
Ширина
2 mm
MOSFET 30V, N-Channel NexFET Power Mosfet
Про виробника
TEXAS INSTRUMENTS
Texas Instruments — американская компания, производитель полупроводниковых элементов, микросхем, электроники и изделий на их основе. Расположена в Далласе (штат Техас, США).
Является 4-м в мире по размеру производителем полупроводниковых приборов, ус... Детально...