CSD19531Q5AT Texas Instruments МОП-транзистор 100V,5.3mOhm,NexFET Power МОП-транзистор
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Код товару: CSD19531Q5AT
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: CSD19531Q5AT
Id - непрерывный ток утечки
100 A
Pd - рассеивание мощности
3.3 W
Qg - заряд затвора
37 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
6.4 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
100 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.7 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
5.8 ns
Время спада
5.2 ns
Высота
1 mm
Длина
6 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
250
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
NexFET
Конфигурация
Single
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
82 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
CSD19531Q5A
Технология
Si
Тип
NexFET Power MOSFET
Тип корпуса
VSONP-8
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
18.4 ns
Типичное время задержки при включении
6 ns
Торговая марка
Texas Instruments
Упаковка
Reel
Ширина
4.9 mm
MOSFET 100V,5.3mOhm,NexFET Power MOSFET
Про виробника
TEXAS INSTRUMENTS
Texas Instruments — американская компания, производитель полупроводниковых элементов, микросхем, электроники и изделий на их основе. Расположена в Далласе (штат Техас, США).
Является 4-м в мире по размеру производителем полупроводниковых приборов, ус... Детально...