CSD19535KTT Texas Instruments МОП-транзистор 100V N-CH NexFET Pwr МОП-транзистор
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Код товару: CSD19535KTT
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: CSD19535KTT
Id - непрерывный ток утечки
150 A
Pd - рассеивание мощности
300 W
Qg - заряд затвора
98 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
3.4 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
100 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.2 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
18 ns
Время спада
15 ns
Высота
4.7 mm
Длина
9.25 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
500
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
301 S
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
CSD19535KTT
Технология
Si
Тип корпуса
TO-263-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
21 ns
Типичное время задержки при включении
9 ns
Торговая марка
Texas Instruments
Упаковка
Reel
Ширина
10.26
MOSFET 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET
Про виробника
TEXAS INSTRUMENTS
Texas Instruments — американская компания, производитель полупроводниковых элементов, микросхем, электроники и изделий на их основе. Расположена в Далласе (штат Техас, США).
Является 4-м в мире по размеру производителем полупроводниковых приборов, ус... Детально...