CSD19536KCS Texas Instruments МОП-транзистор 100V N-CH NexFET Pwr МОП-транзистор
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Код товару: CSD19536KCS
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: CSD19536KCS
Id - непрерывный ток утечки
200 A
Pd - рассеивание мощности
375 W
Qg - заряд затвора
118 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
2.7 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
100 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.5 V
Вес изделия
6 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
8 ns
Время спада
5 ns
Высота
16.51 mm
Длина
10.67 mm
Количество в заводской упаковке
50
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
NexFET
Конфигурация
Single
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
307 S
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
CSD19536KCS
Технология
Si
Тип корпуса
TO-220-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Торговая марка
Texas Instruments
Упаковка
Tube
Ширина
4.7 mm
MOSFET 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET
Про виробника
TEXAS INSTRUMENTS
Texas Instruments — американская компания, производитель полупроводниковых элементов, микросхем, электроники и изделий на их основе. Расположена в Далласе (штат Техас, США).
Является 4-м в мире по размеру производителем полупроводниковых приборов, ус... Детально...