CSD19537Q3 Texas Instruments МОП-транзистор 100V N-Channel NexFET Power МОП-транзистор
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Код товару: CSD19537Q3
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: CSD19537Q3
Id - непрерывный ток утечки
200 A
Pd - рассеивание мощности
83 W
Qg - заряд затвора
16 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
14.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
100 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.6 V
Вес изделия
24 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
3 ns
Время спада
3 ns
Высота
1 mm
Длина
3.3 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
2500
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
CSD19537Q3
Технология
Si
Тип корпуса
VSON-Clip-8
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
10 ns
Типичное время задержки при включении
5 ns
Торговая марка
Texas Instruments
Упаковка
Reel
Ширина
3.3 mm
MOSFET 100V N-Channel NexFET Power MOSFET
Про виробника
TEXAS INSTRUMENTS
Texas Instruments — американская компания, производитель полупроводниковых элементов, микросхем, электроники и изделий на их основе. Расположена в Далласе (штат Техас, США).
Является 4-м в мире по размеру производителем полупроводниковых приборов, ус... Детально...