CSD19538Q2T Texas Instruments МОП-транзистор 100V, 49mOhm NexFET Power МОП-транзистор
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Код товару: CSD19538Q2T
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: CSD19538Q2T
Id - непрерывный ток утечки
14.4 A
Pd - рассеивание мощности
2.5 W
Qg - заряд затвора
4.3 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
59 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
100 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3.2 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
3 ns
Время спада
2 ns
Высота
0.75 mm
Длина
2 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
250
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
NexFET
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
CSD19538Q2
Технология
Si
Тип корпуса
WSON-FET-6
Типичное время задержки выключения
7 ns
Типичное время задержки при включении
5 ns
Торговая марка
Texas Instruments
Упаковка
Reel
Ширина
2 mm
MOSFET 100V, 49mOhm NexFET Power MOSFET
Про виробника
TEXAS INSTRUMENTS
Texas Instruments — американская компания, производитель полупроводниковых элементов, микросхем, электроники и изделий на их основе. Расположена в Далласе (штат Техас, США).
Является 4-м в мире по размеру производителем полупроводниковых приборов, ус... Детально...