CSD23382F4T Texas Instruments МОП-транзистор P-Ch NexFET Power МОП-транзистор
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Код товару: CSD23382F4T
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: CSD23382F4T
Id - непрерывный ток утечки
- 3.5 A
Pd - рассеивание мощности
500 mW (1/2 W)
Qg - заряд затвора
1.04 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
76 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
- 12 V
Vgs - напряжение затвор-исток
- 0.8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
- 0.8 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
25 ns
Время спада
41 ns
Высота
0.35 mm
Длина
1 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
250
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
3.4 S
Полярность транзистора
P-Channel
Серия
CSD23382F4
Технология
Si
Тип корпуса
Picostar-3
Тип транзистора
1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
66 ns
Типичное время задержки при включении
28 ns
Торговая марка
Texas Instruments
Упаковка
Reel
Ширина
0.64 mm
MOSFET P-Ch NexFET Power MOSFET
Про виробника
TEXAS INSTRUMENTS
Texas Instruments — американская компания, производитель полупроводниковых элементов, микросхем, электроники и изделий на их основе. Расположена в Далласе (штат Техас, США).
Является 4-м в мире по размеру производителем полупроводниковых приборов, ус... Детально...