CSD25211W1015 Texas Instruments МОП-транзистор PCh NexFET Power МОП-транзистор
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Код товару: CSD25211W1015
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: CSD25211W1015
Id - непрерывный ток утечки
- 3.2 A
Pd - рассеивание мощности
1 W
Qg - заряд затвора
3.4 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
33 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
- 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток
- 6 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
- 800 mV
Вес изделия
1,700 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
8.8 ns
Время спада
14.2 ns
Высота
0.625 mm
Длина
1.5 mm
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
NexFET
Конфигурация
Single Channel
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
12 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
P-Channel
Серия
CSD25211W1015
Технология
Si
Тип корпуса
DSBGA-6
Тип транзистора
1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
36.9 ns
Типичное время задержки при включении
13.6 ns
Торговая марка
Texas Instruments
Упаковка
Reel
Ширина
1 mm
MOSFET PCh NexFET Power MOSFET
Про виробника
TEXAS INSTRUMENTS
Texas Instruments — американская компания, производитель полупроводниковых элементов, микросхем, электроники и изделий на их основе. Расположена в Далласе (штат Техас, США).
Является 4-м в мире по размеру производителем полупроводниковых приборов, ус... Детально...