TPS1100D Texas Instruments МОП-транзистор МОП-транзистор 10ns RT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Код товару: TPS1100D
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TPS1100D
Id - непрерывный ток утечки
- 1.6 A
Pd - рассеивание мощности
0.791 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
180 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
- 15 V
Vgs - напряжение затвор-исток
- 15 V
Вес изделия
76 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
10 ns
Время спада
10 ns
Высота
1.75 mm
Длина
4.9 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
75
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single Quad Drain Triple Source
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
2.5 S
Максимальная рабочая температура
+ 125 C
Минимальная рабочая температура
- 40 C
Полярность транзистора
P-Channel
Продукт
MOSFET Small Signal
Серия
TPS1100
Технология
Si
Тип
MOSFET
Тип корпуса
SOIC-8
Тип транзистора
1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
13 ns
Типичное время задержки при включении
4.5 ns
Торговая марка
Texas Instruments
Упаковка
Tube
Ширина
3.9 mm
MOSFET MOSFET 10ns RT
Про виробника
TEXAS INSTRUMENTS
Texas Instruments — американская компания, производитель полупроводниковых элементов, микросхем, электроники и изделий на их основе. Расположена в Далласе (штат Техас, США).
Является 4-м в мире по размеру производителем полупроводниковых приборов, ус... Детально...