TPS1120DR Texas Instruments МОП-транзистор Dual P-Ch Enh-Mode МОП-транзистор
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Код товару: TPS1120DR
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TPS1120DR
Id - непрерывный ток утечки
- 1.17 A
Pd - рассеивание мощности
840 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
180 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
- 15 V
Vgs - напряжение затвор-исток
- 15 V, 2 V
Вес изделия
76 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
10 ns
Время спада
10 ns
Высота
1.75 mm
Длина
4.9 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
2500
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
Dual Dual Drain
Максимальная рабочая температура
+ 125 C
Минимальная рабочая температура
- 40 C
Полярность транзистора
P-Channel
Продукт
MOSFET Small Signal
Серия
TPS1120
Технология
Si
Тип
PMOS Switches
Тип корпуса
SOIC-8
Тип транзистора
2 P-Channel
Типичное время задержки выключения
13 ns
Типичное время задержки при включении
4.5 ns
Торговая марка
Texas Instruments
Упаковка
Reel
Ширина
3.9 mm
MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET
Про виробника
TEXAS INSTRUMENTS
Texas Instruments — американская компания, производитель полупроводниковых элементов, микросхем, электроники и изделий на их основе. Расположена в Далласе (штат Техас, США).
Является 4-м в мире по размеру производителем полупроводниковых приборов, ус... Детально...