SSM3J356R,LF Toshiba МОП-транзистор Small-signal МОП-транзистор ID: -2A, VDSS: -60V
Виробник: TOSHIBA
Код товару: SSM3J356R,LF
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: SSM3J356R,LF
Id - непрерывный ток утечки
- 2 A
Pd - рассеивание мощности
2 W
Qg - заряд затвора
8.3 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
240 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
- 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
- 20 V, + 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
- 2 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.9 mm
Длина
2.9 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 P-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Полярность транзистора
P-Channel
Серия
SSM3J356
Технология
Si
Тип корпуса
SOT-23-3
Тип транзистора
1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
48 ns
Типичное время задержки при включении
29 ns
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Reel
Ширина
1.3 mm
MOSFET Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...